Forum 1 semestru informatyki w SP ZSTI

ma444

Pamięć typu Flash to rodzaj pamięci EEPROM, pozwalającej na zapisywanie lub kasowanie wielu komórek pamięci podczas jednej operacji programowania. Jest to pamięć nieulotna – po odłączeniu zasilania nie traci swej zawartości.

Standardowe pamięci EEPROM pozwalają zapisywać lub kasować tylko jedną komórkę pamięci na raz, co oznacza, że pamięci Flash są znacznie szybsze, jeśli system je wykorzystujący zapisuje i odczytuje komórki o różnych adresach w tym samym czasie.

Wszystkie typy pamięci Flash, jak i EEPROM, mają ograniczoną liczbę cykli kasowania, co powoduje ich uszkodzenie po przekroczeniu tej liczby.

Pamięci Flash produkuje się w dwóch wersjach: NOR i NAND. Nazwy odnoszą się do typu bramki logicznej używanej w każdej komórce pamięci.

Jako pierwszą opracowano pamięć NOR w firmie Intel w roku 1988. Ma ona długie czasy zapisu i kasowania, ale umożliwia bezpośredni dostęp do każdej komórki pamięci. Z tego względu nadaje się po przechowywania informacji, które nie wymagają częstej aktualizacji, jak np. firmware różnego rodzaju urządzeń. Wytrzymuje od 10 000 do 100 000 cykli kasowania. Stosowano ją w pierwszych wersjach kart pamięci CompactFlash, ale później zaczęto w nich stosować tańsze pamięci NAND.

W roku 1989 pojawiły się pamięci NAND z firm Samsung i Toshiba. W stosunku do pamięci NOR ma krótszy czas zapisu i kasowania, większą gęstość upakowania danych, lepszy współczynnik koszt/pojemność oraz dziesięciokrotnie większą wytrzymałość. Jej główną wadą jest sekwencyjny dostęp do danych, co czyni ją użyteczną jako pamięć masowa, np. w kartach pamięci, lecz bezużyteczną jako pamięć komputera. Pierwszą kartą pamięci używającą pamięci NAND była karta SmartMedia, później zaczęto ich używać w innych typach, jak: MMC, Secure Digital, Memory Stick i xD-Picture Cards, dyskach USB.

Gość · Wysłany: Pią 23:15, 09 Mar 2007 Temat postu:

Christina Ricci Undressing!
[link widoczny dla zalogowanych]